SAMSUNG SSD INTERNO 990 EVO PLUS 1TB M.2 2280 PCIE 5.0 X2 NVME [MZ-V9S1T0BW]

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Velocità di scrittura	6300 MB/s
Supporto S.M.A.R.T.	Sì
Scrittura casuale (4KB)	1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
NVMe	Sì
Intervallo temperatura di funzionamento	0 - 70 °C
Componente per	PC
Versione di NVMe	2.0
Velocità di lettura	7150 MB/s
Capacità SSD	1 TB
Algoritmi di sicurezza supportati	256-bit AES
Larghezza	80,2 mm
Peso	9 g
criptaggio hardware	Sì
Supporto TRIM	Sì
Altezza	22,1 mm
Dimensione SSD	M.2
Interfaccia	PCI Express 4.0
Profondità	2,38 mm
Dimensioni dell'unità SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Tempo medio tra guasti (MTBF)	1500000 h
Tipo memoria	V-NAND TLC
Lettura casuale (4KB)	850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)